Intel ya tiene sus máquinas High-NA EUV con su poderosa Twinscan EXE:5000 y los futuros procesadores de 2 nm. Un futuro que pasa de manera inexorable por los chips Intel 18A usando litografía ultravioleta extrema.
Una compañía que, últimamente, es un hervidero de noticias dado que recientemente Intel anunció los Core Ultra vPro y su clara apuesta por los IA PC.
Y es que Twinscan EXE:5000, el sistema de litografía ultravioleta extrema (EUV) fabricado por la holandesa ASML, es el primero de una nueva generación de máquinas que proporcionará una resolución de 8 nm para respaldar la producción avanzada de chips.
Twinscan EXE:5000 marca un hito como el primer sistema de litografía EUV con una apertura numérica (NA) de 0,55. Con una asombrosa resolución de 8 nm, este sistema permite a los fabricantes de chips imprimir características con una exposición única que son 1,7 veces más pequeñas.
Y este avance se traduce en densidades de transistores 2,9 veces superiores en comparación a los sistemas Twinscan NXE EUV previos.
El sistema EXE:5000 ofrece un 40% más de contraste de imagen en comparación con los sistemas NXE, lo que minimiza los defectos de patrones y mejora el rendimiento del chip.
Además, esto posibilita a los fabricantes de chips reducir la cantidad de luz por exposición, disminuyendo el tiempo de impresión por capa y aumentando así la producción de obleas en las fábricas de los clientes.
Gracias a la capacidad del Twinscan EXE:5000 para imprimir elementos más pequeños, es posible simplificar el proceso de fabricación de chips al utilizar patrones únicos en lugar de múltiples.
Esto no sólo acelera el ciclo de producción, aumentando la producción de obleas en las fábricas, sino que también posibilita diversas arquitecturas futuras de chips. Inicialmente, se aplicará en el nodo lógico de 2 nm, seguido por nodos de memoria con una densidad de transistores similar.
La NA de 0,55 se logra mediante una nueva óptica de proyección más grande conocida como ópticas anamórficas. Estas mejoran la calidad de las imágenes y permiten a los fabricantes mantener el uso de retículas de tamaño convencional. Esto minimiza el impacto de la tecnología en el ecosistema de semiconductores y proporciona resultados visuales óptimos.
Los espejos anamórficos del Twinscan EXE:5000 necesitan sólo la mitad del tamaño de campo de exposición en comparación con los sistemas NXE, que tienen una NA de 0,33.
Esto implica que el EXE:5000 incorpora etapas de retícula y oblea más eficientes y rápidas, asegurando una mayor productividad y sostenibilidad económica para la producción de generaciones futuras de chips.
Por lo tanto, las nuevas High-NA EUV de Intel encabezadas por la imponente Twinscan EXE:5000 marcarán el nacimiento de una nueva generación de máquinas. Un futuro en el que Intel y sus chips 18A tendrán mucho que decir.
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